化学机械抛光液全品类产品矩阵

化学机械抛光是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺,化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。根据抛光对象不同,公司化学机械抛光液包括铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液和用于新材料新工艺的抛光液等产品。目前公司铜及铜阻挡层系列化学机械抛光液,可以满足国内芯片制造商的需求,并已在海外市场实现突破;其他系列化学机械抛光液已供应国内外多家芯片制造商,具体生产规模会根据客户需求量进行调节。

铜及铜阻挡层化学机械抛光液
用于集成电路制造工艺中铜互连的平坦化,产品已在逻辑芯片、存储芯片等制程上量产使用。持续研发并验证用于下一代技术节点用的产品。
钨化学机械抛光液
用于集成电路制造工艺中金属钨的去除和平坦化。目前钨抛光液在存储芯片和逻辑芯片领域的应用范围和市场份额持续稳健上升,公司紧跟行业领先客户的先进制程,提前进行技术平台的布局及技术能力的积累, 多款钨抛光液在先进制程通过验证并顺利实现量产。
介电材料化学机械抛光液
用于集成电路制造工艺中介电材料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平坦化。产品已在逻辑芯片、存储芯片等制程上量产使用。
基于二氧化铈磨料的抛光液
用于集成电路制造工艺中浅槽隔离和其他需要高速去除二氧化硅的抛光工艺中。基于二氧化铈磨料的抛光液具有高速去除二氧化硅、高选择比、高平坦化效率等优点,并且可以根据客户需要开发多种新产品并顺利实现量产。
衬底化学机械抛光液
用于硅衬底材料的抛光,包括硅粗抛液、硅精抛液等产品系列。安集紧跟国内大硅片企业的发展和打造材料自主可控能力的趋势,充分了解客户的需求后定制化开发抛光液产品,公司研发的新型硅抛光液在客户端顺利上线。
用于新材料新工艺的化学机械抛光液
依托化学机械抛光液技术及产品平台,紧密配合客户制程需求,研制开发用于新技术、新工艺的化学机械抛光液。包括用于先进封装技术中的TSV通孔抛光液和混合键合抛光液,以及适用于聚合物和碳等新材料的抛光液。多个产品已实现量产供应。
功能性湿电子化学品领先技术节点多产品线布局

功能性湿电子化学品是指通过配方技术达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类湿电子化学品。目前,公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液和刻蚀液系列产品。刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液已经广泛应用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路制造领域。

刻蚀后清洗液
铝刻蚀后清洗液
产品应用于集成电路铝制程工艺金属线、通孔及金属焊盘(pad)蚀刻残留物去除,提供优异的蚀刻残留物去除能力、低成本。产品已在8英寸及12英寸逻辑芯片、存储芯片等领域量产。
铜刻蚀后清洗液
应用于集成电路铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品具有优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。产品已经在逻辑芯片多个制程技术节点、3D NAND、DRAM等存储芯片、CIS等特色工艺及2.5D/3D工艺量产。
TiN硬掩模刻蚀后清洗液
用于集成电路28nm及以下先进工艺大马士革工艺,提供TiN 硬掩模去除及刻蚀后聚合物清洗方案,产品已经批量量产。
刻蚀液
选择性刻蚀液
用于特殊工艺需求,提供SiGe/Si/SiN/Poly等不同材料的选择性刻蚀方案。
CMP后清洗液
铜化学机械抛光后清洗
提供酸性、碱性铜抛光后清洗液体系,用于不同技术节点铜抛光后清洗,有效去除抛光后残留物并保护铜。产品广泛应用于90~40nm成熟技术节点、28nm及以下先进技术节点,提供优异铜抛光后清洗及基材保护技术方案。
光刻胶剥离液
光刻胶剥离液
应用于晶圆级封装、MEMS等先进封装领域厚膜光刻胶去除。产品具有>100微米光刻胶去除能力、低成本。产品在8英寸及12英寸晶圆级封装(金凸点、焊锡凸点、柱状凸点)、MEMS、TSV等工艺量产。
固化后聚酰亚胺(PI)去除
应用于先进封装工艺,提供HD4100,HD8820,BL301聚酰亚胺固化后清洗方案,产品已经批量量产。
助焊剂去除
用于先进封装工艺,提供锡银凸块回流后助焊剂清洗方案,产品已经批量量产。
电镀液及其添加剂强化及提升电镀高端产品系列战略供应

电镀是将电解液中的金属离子通过电化学的方式沉积在阴极表面的工艺, 电镀液是电镀工艺中关键材料。目前,公司拥有铜、镍、镍铁、锡银电镀液系列产品,提供集成电路制造、硅通孔及先进封装凸点、再分布线工艺等解决方案。应用在6英寸、8英寸、12英寸工艺。

铜电镀液及添加剂
用于集成电路大马士革工艺、硅通孔、先进封装凸点及再分布线等工艺,提供高纯铜电镀方案。产品在先进封装已经批量量产,集成电路大马士革工艺及硅通孔工艺验证中。
镍电镀液
用于先进封装凸点等工艺,起到异种金属间的阻断作用。产品批量量产,提供高纯、可延展性、低应力解决方案。
镍铁电镀液
用于先进封装、MEMS霍尔器件等技术,产品已经实现量产。
锡银电镀液
用于先进封装凸点工艺等,提供低速及高速电镀方案。