1.铝制程刻蚀后清洗液

凭借羟胺供应商供应安全解决方案，提供半水性铝制程刻蚀后清洗液及胺基铝制程刻蚀后清洗液。

产品应用于集成电路铝制程工艺金属线、通孔及金属焊盘（pad）蚀刻残留物去除，提供优异的蚀刻残留物去除能力、低成本。产品已在8英寸及12英寸逻辑芯片、存储芯片等领域量产。

2.铜大马士革工艺刻蚀后清洗液

应用于集成电路铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品具有优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。

3.硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后清洗液

应用于集成电路硬掩模铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品提供高氮化钛硬掩模去除能力、优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。产品已经在28nm逻辑芯片量产，并在28nm及以下技术节点持续验证。

1.铜化学机械抛光后的清洗

有效去除铜抛光后表面颗粒和化学物残留，防止铜表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。产品可适用于130-28nm的铜制程抛光后清洗。

2.钨化学机械抛光后的清洗

有效去除钨抛光后表面颗粒和化学物残留，防止钨表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。

3.铝化学机械抛光后的清洗液

有效去除铝抛光后表面颗粒和化学物残留，防止铝表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。

4.氮化硅化学机械抛光后的清洗

有效去除氮化硅抛光后表面颗粒和化学物残留，降低抛光后晶圆表面缺陷。

5.用于新材料化学机械抛光后的清洗

用于新材料抛光后的清洗，降低抛光后晶圆表面缺陷。

6.抛光垫清洗液

有效去除抛光垫上的抛光副产物，延长抛光垫的使用寿命，降低抛光后晶圆表面缺陷。